Условное обозначение (УГО) транзисторов различных типов по ГОСТ 2.730-73
|
Тип транзистора
|
Графическое обозначение
|
| Транзистор структуры p-n-p |  |
| Транзистор структуры p-n-p, коллектор электрически соединен с корпусом прибора |  |
| Транзистор лавинного типа структуры n-p-n |  |
| Однопереходный транзистор с n-базой |  |
| Однопереходный транзистор с p-базой |  |
| Транзистор с двумя базами структуры n-p-n |  |
| Многоэмиттерный транзистор структуры n-p-n |  |
| Полевой транзистор с n-каналом |  |
| Полевой транзистор с p-каналом |  |
| Полевой транзистор с обогащенным изолированным затвором и с p-каналом |  |
| Полевой транзистор с обогащенным изолированным затвором и с n-каналом |  |
| Полевой транзистор с обогащенным изолированным объединенным затвором и с p-каналом |  |
| Полевой транзистор с обогащенным изолированным объединенным затвором и с n-каналом |  |
| Полевой транзистор с обогащенным изолированным затвором и с p-каналом, имеет вывод от подложки |  |
| Полевой транзистор с обогащенным изолированным затвором и с n-каналом, имеет внутреннее соединение подложки с истоком |  |
| Полевой транзистор с двумя изолированными затворами объединенного типа с n-каналом, имеет вывод от подложки |  |